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PEMD18,115|NXP Semiconductors
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PEMD18,115
制造商型号: PEMD18,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: TRANS PREBIASED DUAL SOT666
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 PEMD,PUMD18
产品相片 SOT666
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)4.7k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)10k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)50 @ 10mA,5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)100mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA
频率 - 跃迁-
功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-666
其它名称934058923115
PEMD18 T/R
PEMD18 T/R-ND

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