PEMD18,115,PEMD18,115|NXP Semiconductors代理分销-PEMD18115原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | PEMD,PUMD18 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT666 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 100mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058923115 PEMD18 T/R PEMD18 T/R-ND |
