| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PDTD123TT,215 [更多] | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PDTD123TT,215 [更多] | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased 500 MA RET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PDTD123TT,215 [更多] | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R (Alt: PDTD123TT,215) RoHS: Compliant | 搜索 |
| PDTD123TT,215 [更多] | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PDTD123TT,215) RoHS: Compliant | 搜索 |
| PDTD123TT,215 [更多] | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R - Bulk (Alt: PDTD123TT215) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PDTD123TT215 [更多] | NXP Semiconductors | RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| PDTD123TT215 [更多] | Nexperia | RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PDTD123TT%2C215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 500MA SOT23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) 型号：PDTD123TT,215 仓库库存编号：1727-2668-1-ND 别名：1727-2668-1 568-13182-1 568-13182-1-ND | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PDTD123TT 215 NXP Semiconductors | 开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PDTD123TT,215 NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 500MA SOT23  | 查价格库存 查看详细 |
| PDTD123TT215 NXP | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PDTD123TT,215 NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 500MA SOT23 | 查价格库存 查看详细 |
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 | PDTD123TT,215 NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 500MA SOT23 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | PDTD123T Series |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 50mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 其它名称 | 934059728215 PDTD123TT T/R PDTD123TT T/R-ND |
