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| PDTD113ZK,115 [更多] | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7
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| PDTD113ZK%2C115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V SC-59 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NXP USA Inc. TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK 型号：PDTD113ZK,115 仓库库存编号：PDTD113ZK,115-ND 别名：934058969115 PDTD113ZK T/R PDTD113ZK T/R-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | PDTD113Z Series |
|---|---|
| 产品相片 | SC-59, SOT-346 Pkg |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 1k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 70 @ 50mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 934058969115 PDTD113ZK T/R PDTD113ZK T/R-ND |
