| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PDTC115TS,126 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V TO-92 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PDTC115TS,126 NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V TO-92  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PDTC115TS,126 NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V TO-92 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PDTC115TS,126 NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V TO-92 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | NXP USA Inc. TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 型号：PDTC115TS,126 仓库库存编号：PDTC115TS,126-ND 别名：934058784126 PDTC115TS AMO PDTC115TS AMO-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | PDTC115T |
|---|---|
| 产品相片 | TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 100k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 934058784126 PDTC115TS AMO PDTC115TS AMO-ND |
