数据列表 | PBSS5350SS |
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产品相片 | 8-SOIC |
特色产品 | NXP - I2C Interface |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2.7A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 370mV @ 270mA,2.7A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 750mW |
频率 - 跃迁 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 568-7320-2 934061032115 PBSS5350SS T/R PBSS5350SS T/R-ND PBSS5350SS,115-ND |