PBSS5130PAP,115,PBSS5130PAP,115|NXP Semiconductors代理分销-PBSS5130PAP115原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | PBSS5130PAP |
|---|---|
| 产品相片 | SOT1118 |
| 特色产品 | Double Transistors in DFN2020-6 Packages |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 280mV @ 50mA， 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 170 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 510mW |
| 频率 - 跃迁 | 125MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10206-2 934066881115 PBSS5130PAP |
