型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PBLS2002S,115 [更多] | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased BISS LDSWITCH TAPE-7 RoHS: Compliant | 搜索 |
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PBLS2002S,115 [更多] | Nexperia | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/20V 100mA/3A Automotive 8-Pin SO T/R pbFree: Yes | 搜索 |
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PBLS2002S115 [更多] | NXP Semiconductors |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PBLS2002S,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | NXP USA Inc. TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO 型号:PBLS2002S,115 仓库库存编号:568-7229-1-ND 别名:568-7229-1 | 无铅 | 搜索 |
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![]() | PBLS2002S 115 NXP Semiconductors | 开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | PBLS2002S115 NXP | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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数据列表 | PBLS2002S |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
特色产品 | NXP - I2C Interface |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA,3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V,20V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V / 150 @ 2A,2V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA / 355mV @ 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA,100nA |
频率 - 跃迁 | 100MHz |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 568-7229-2 934060278115 PBLS2002S T/R PBLS2002S T/R-ND PBLS2002S,115-ND PBLS2002S115 |