数据列表 | NTZD3155C |
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产品相片 | SOT-563-6_463A |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 540mA,430mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 150pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | NTZD3155CT1GOSTR |