NTR4170NT1G,NTR4170NT1G|ON Semiconductor代理分销-NTR4170NT1G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NTR4170N |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 产品变化通告 | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | - |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.76nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 432pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 780mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR4170NT1G-ND NTR4170NT1GOSTR |
