NTR1P02LT1G,NTR1P02LT1G|ON Semiconductor代理分销-NTR1P02LT1G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NTR1P02LT1 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 产品变化通告 | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 220 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.5nC @ 4V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 225pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR1P02LT1GOSTR |
