NTMSD2P102LR2G,NTMSD2P102LR2G|ON Semiconductor代理分销-NTMSD2P102LR2G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NTMSD2P102LR2 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 03/Apr/2007 Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FETKY™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 二极管（隔离式） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 710mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMSD2P102LR2GOS |
