数据列表 | NTMFS4119N |
---|---|
产品相片 | 5-DFN_488AA |
产品变化通告 | Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
标准包装 | 1,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.5 毫欧 @ 29A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 60nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4800pF @ 24V |
功率 - 最大值 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
其它名称 | NTMFS4119NT1G-ND NTMFS4119NT1GOSTR |