NTJD1155LT1,NTJD1155LT1|ON Semiconductor代理分销-NTJD1155LT1原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NTJD1155L |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.3A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
