数据列表 | NTHD3100C |
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产品相片 | 8-ChipFET |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.9A,3.2A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 165pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | ChipFET? |
产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | NTHD3100CT1GOSTR |