数据列表 | NTHC5513 |
---|---|
产品相片 | 8-ChipFET |
产品变化通告 | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.9A,2.2A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 180pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | ChipFET? |
其它名称 | NTHC5513T1OS |