NTF6P02T3G,NTF6P02T3G|ON Semiconductor代理分销-NTF6P02T3G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NTF6P02T3 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 产品变化通告 | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 8.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NTF6P02T3GOS NTF6P02T3GOS-ND NTF6P02T3GOSTR |
