数据列表 | NTD85N02R |
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产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 24V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 12A (Ta), 85A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.2 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17.7nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2050pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | NTD85N02RT4G-ND NTD85N02RT4GOSTR |