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NTD80N02T4
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MOSFET 24V 80A N-Channel

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MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
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ON Semiconductor - NTD80N02T4G - MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 80A(Tc) 75W(Tc) DPAK

型号:NTD80N02T4G
仓库库存编号:NTD80N02T4GOSCT-ND
别名:NTD80N02T4GOSCT
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MOSFET PWR N-CHAN 24V 80A DPAK
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NTD80N02T4G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTD80N02T4G
制造商型号: NTD80N02T4G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 NTD80N02
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2600pF @ 20V
功率 - 最大值75W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
其它名称NTD80N02T4GOS
NTD80N02T4GOS-ND
NTD80N02T4GOSTR

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