NTD6415ANT4,NTD6415ANT4|ON Semiconductor-NTD6415ANT4原装现货,PDF下载
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NTD6415ANT4G
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ON Semiconductor

MOSFET NFET DPAK 100V 25A 55MO

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
NTD6415ANT4G
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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NTD6415ANT4G
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD6415ANT4G
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD6415ANT4G
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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NTD6415ANT4G
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ON Semiconductor

MOSFET N-Channel 100V 23A DPAK

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NTD6415ANT4 ON Semiconductor MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK 查看库存、价格及货期
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ON Semiconductor - NTD6415ANT4G - MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK

型号:NTD6415ANT4G
仓库库存编号:NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6415ANT4GOSCT
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ON Semiconductor - NTD6415ANT4G - ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6415ANT4G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装

制造商零件编号:
NTD6415ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2926
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ON Semiconductor - NTD6415ANT4G - MOSFET N-Channel 100V 23A DPAK|70341317 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
MOSFET N-Channel 100V 23A DPAK


型号:NTD6415ANT4G
仓库库存编号:70341317

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
NTD6415ANT4G
ON SEMICONDUCTOR NTD6415ANT4G
1879966

ON SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V

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无图NTD6415ANT4
ON Semiconductor
MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK
Rohs

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NTD6415ANT4G|ON SemiconductorNTD6415ANT4G
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
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NTD6415ANT4G|ON SemiconductorNTD6415ANT4G
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
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NTD6415ANT4G|ON SemiconductorNTD6415ANT4G
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
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无图NTD6415ANT4
ON Semiconductor
MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTD6415ANT4
制造商型号: NTD6415ANT4
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间30 ns
典型接通延迟时间10 ns
典型栅极电荷@Vgs29 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds700 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.22mm
封装类型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散83 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值55 mΩ
最大连续漏极电流23 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、单
长度6.73mm
高度2.38mm

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