型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD6415ANT4G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 25A 55MO RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD6415ANT4G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD6415ANT4G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD6415ANT4G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
NTD6415ANT4G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NTD6415ANT4G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-Channel 100V 23A DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NTD6415ANT4 | ON Semiconductor | MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 23A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK 型号:NTD6415ANT4G 仓库库存编号:NTD6415ANT4GOSCT-ND 别名:NTD6415ANT4GOSCT | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: NTD6415ANT4G 品牌: ON Semiconductor 库存编号: 719-2926 | 查看其他仓库 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | ON Semiconductor MOSFET N-Channel 100V 23A DPAK 型号:NTD6415ANT4G 仓库库存编号:70341317 | ![]() | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
NTD6415ANT4G![]() | 1879966 | ON SEMICONDUCTOR 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 查看其他仓库 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NTD6415ANT4 ON Semiconductor | MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | NTD6415ANT4G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NTD6415ANT4G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NTD6415ANT4G ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | NTD6415ANT4 ON Semiconductor | MOSFET,N沟道,100V,23A,DPAK![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 30 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 29 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 700 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 6.22mm | |
封装类型 | DPAK | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 83 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 55 mΩ | |
最大连续漏极电流 | 23 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 6.73mm | |
高度 | 2.38mm |