NTD12N10T4G,NTD12N10T4G|ON Semiconductor代理分销-NTD12N10T4G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NTD12N10 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 165 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.28W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD12N10T4GOS NTD12N10T4GOS-ND NTD12N10T4GOSTR |
