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NTB90N02T4
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MOSFET 28V 90A N-Channel

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ON Semiconductor

MOSFET 28V 90A N-Channel

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ON Semiconductor - NTB90N02T4 - MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 90A(Ta) 85W(Tc) D2PAK

型号:NTB90N02T4
仓库库存编号:NTB90N02T4OSCT-ND
别名:NTB90N02T4OSCT <br>

含铅
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ON Semiconductor - NTB90N02T4G - MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 90A(Ta) 85W(Tc) D2PAK

型号:NTB90N02T4G
仓库库存编号:NTB90N02T4GOSCT-ND
别名:NTB90N02T4GOSCT <br>

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NTB90N02T4|ON SemiconductorNTB90N02T4
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MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
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MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
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ON Semiconductor
MOSFET PWR N-CHAN 24V 90A D2PAK
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NTB90N02T4|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTB90N02T4
制造商型号: NTB90N02T4
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 NTB,NTP90N02
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)90A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.8 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2120pF @ 20V
功率 - 最大值85W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称NTB90N02T4OSTR

手机网站相关详细信息:NTB90N02T4
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: NTB90N02T4
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