数据列表 | NTB,NTP125N02R |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
标准包装 | 10 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 剪切带 (CT) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 24V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 95A (Ta), 120.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.6 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3440pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 1.98W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB125N02RT4OSCT |