NSS1C200MZ4T1G,NSS1C200MZ4T1G|ON Semiconductor代理分销-NSS1C200MZ4T1G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NSS1C200MZ4 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 220mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 频率 - 跃迁 | 120MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NSS1C200MZ4T1GOSTR |
