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| NSBA123TF3T5G [更多] | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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 | ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 型号：NSBA123TF3T5G 仓库库存编号：NSBA123TF3T5G-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | NSBA123TF3 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-1123_524AA |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 254mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
