NJD35N04G,NJD35N04G|ON Semiconductor代理分销-NJD35N04G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NJD35N04 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 350V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 20mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 2000 @ 2A，2V |
| 功率 - 最大值 | 45W |
| 频率 - 跃迁 | 90MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NJD35N04G-ND NJD35N04GOS |
