NIF9N05CLT3,NIF9N05CLT3|ON Semiconductor代理分销-NIF9N05CLT3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | NIF9N05CL |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 产品变化通告 | LTB Notification 03/Jan/2008 Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 52V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.6A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 125 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 250pF @ 35V |
| 功率 - 最大值 | 1.69W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NIF9N05CLT3OS |
