数据列表 | NGTB15N60S1EG |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.7V @ 15V,15A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
功率 - 最大值 | 117W |
Switching Energy | 900µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 88nC |
Td (on/off) A 25°C | 65ns/170ns |
Test Condition | 400V,15A,22 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 270ns |
封装/外壳 | TO-220-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | NGTB15N60S1EG-ND NGTB15N60S1EGOS |