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NGD8201ANT4G|ON Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NGD8201ANT4G
制造商型号： NGD8201ANT4G
制造商： ON Semiconductor
描述： IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:ON Semiconductor
RoHS: 符合
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:440 V
集电极—射极饱和电压:1.5 V
栅极/发射极最大电压:15 V
在25 C的连续集电极电流:20 A
栅极—射极漏泄电流:300 uA
功率耗散:125 W
最大工作温度:+ 175 C
封装 / 箱体:DPAK
封装:Reel
最小工作温度:- 55 C
安装风格:SMD/SMT

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