数据列表 | NGB8206N,AN |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 390V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
功率 - 最大值 | 150W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 逻辑 |
Gate Charge | - |
Td (on/off) A 25°C | -/5µs |
Test Condition | 300V,9A,1 千欧,5V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | D2PAK |