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NE425S01-T1B
制造商型号： NE425S01-T1B
制造商： NEC/CEL
描述： 射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
技术参考：

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库存状态： 实时库存查询 所在地：深圳全新原装现货
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产品信息

制造商:

NEC

产品种类:

射频GaAs晶体管

RoHS:

符合

技术类型:

HEMT

频率:

12 GHz

增益:

12 dB

噪声系数:

0.6 dB

正向跨导 gFS（最大值/最小值） :

60 mS

漏源电压 VDS:

4 V

闸/源击穿电压:

- 3 V

漏极连续电流:

90 mA

最大工作温度:

+ 125 C

功率耗散:

165 mW

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

S0-1

封装:

Reel

工厂包装数量:

4000

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