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NE3508M04-EVNF23
制造商型号： NE3508M04-EVNF23
制造商： CEL
描述： 射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt
技术参考：

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库存状态： 实时库存查询 所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息

制造商:

CEL

产品种类:

射频GaAs晶体管

RoHS:

符合

技术类型:

HEMT

频率:

2 GHz

增益:

14 dB

噪声系数:

0.45 dB

正向跨导 gFS（最大值/最小值） :

100 mS

漏源电压 VDS:

4 V

闸/源击穿电压:

- 3 V

漏极连续电流:

120 mA

最大工作温度:

+ 150 C

功率耗散:

175 mW

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

FTSMM-4 (M04)

P1dB:

18 dBm

封装:

Box

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