数据列表 | NDT452P |
---|---|
产品相片 | SOT223-3L |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | Digi-Reel® |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 180 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 525pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
其它名称 | NDT452PDKR |