| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| NDS8852H | Fairchild Semiconductor | MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NDS8852H Fairchild Semiconductor | MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SO 型号：NDS8852H 仓库库存编号：NDS8852HTR-ND 别名：NDS8852HTR | 含铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | NDS8852H |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.3A，3.4A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 80 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NDS8852HTR |
