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| NDS352P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 850MA SSOT3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3 型号：NDS352P 仓库库存编号：NDS352PCT-ND 别名：NDS352PCT | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | NDS352P |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 850mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 350 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 125pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 460mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | NDS352PTR |
