标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 5.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 30 毫欧 @ 5.8A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 30nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 560pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 900mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SSOT, SuperSOT-8 |
供应商设备封装 : | 8-SSOT |
包装 : | 剪切带 (CT) |