NDF11N50ZG,NDF11N50ZG|ON Semiconductor代理分销-NDF11N50ZG原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | ND(F,P)11N50Z |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 520 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1645pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 39W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | NDF11N50ZG-ND NDF11N50ZGOS |
