典型关断延迟时间 | 14(晶体管 1)ns,8(晶体管 2)ns | |
典型接通延迟时间 | 2.8(晶体管 1)ns,3.2(晶体管 2)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC V @ 10(晶体管 1),1.6 nC V @ -10(晶体管 2) | |
典型输入电容值@Vds | 20 pF @ 25 V(晶体管 1),66 pF @ -25 V(晶体管 2) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.7mm | |
封装类型 | SuperSOT | |
尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 0.96 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 60(晶体管 1)V,-60(晶体管 2)V | |
最大漏源电阻值 | 10(晶体管 2)Ω,4(晶体管 1)Ω | |
最大连续漏极电流 | -0.34(晶体管 2)A,0.51(晶体管 1)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双漏极 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 1mm |