数据列表 | MWI50-12T7T |
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标准包装 | 6 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT |
系列 | - |
IGBT 类型 | 沟道 |
配置 | 三相反相器 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.15V @ 15V,50A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 4mA |
不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 3.5nF @ 25V |
功率 - 最大值 | 270W |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 是 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | E2 |
供应商器件封装 | E2 |