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| MTZJT-779.1B | Rohm Semiconductor | DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Rohm Semiconductor DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD 详细描述：Zener Diode 9.1V 500mW ±3% Through Hole MSD 型号：MTZJT-779.1B 仓库库存编号：MTZJT-779.1B-ND | 无铅 | 搜索 |
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| MTZJT-779.1B Rohm Semiconductor | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-34 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | MTZ J Series |
|---|---|
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 单二极管/齐纳 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 容差 | ±3% |
| 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
| 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AG，DO-34，轴向 |
| 供应商器件封装 | MSD |
| 工作温度 | - |
