MTD6N20ET4,MTD6N20ET4|ON Semiconductor代理分销-MTD6N20ET4原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | MTD6N20E |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 10 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 700 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.75W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MTD6N20ET4OSCT |
