数据列表 | MRF5812(G)R1,R2 |
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产品相片 | 8-SOIC |
产品目录绘图 | MRF5812(GR1,R2) Top |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 15V |
频率 - 跃迁 | 5GHz |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
增益 | 13dB ~ 15.5dB |
功率 - 最大值 | 1.25W |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 50mA,5V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
产品目录页面 | 1635 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MRF5812GR1MITR MRF5812GR1MITR-ND |