数据列表 | MMDT2227M |
---|---|
产品相片 | SOT26 |
产品目录绘图 | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 16/Sept/2008 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V,60V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz,200MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
供应商器件封装 | SOT-26 |
产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MMDT2227M7 MMDT2227MDITR |