数据列表 | MMDF3N04HD |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
产品变化通告 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 | 10 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 剪切带 (CT) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.4A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 3.4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 900pF @ 32V |
功率 - 最大值 | 1.39W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | MMDF3N04HDR2OSCT |