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ON Semiconductor - MMDF2P02HDR2 - MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC

型号:MMDF2P02HDR2
仓库库存编号:MMDF2P02HDR2OSCT-ND
别名:MMDF2P02HDR2OSCT
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ON Semiconductor - MMDF2P02HDR2G - MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC

型号:MMDF2P02HDR2G
仓库库存编号:MMDF2P02HDR2GOS-ND
别名:MMDF2P02HDR2GOS
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MMDF2P02HDR2|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MMDF2P02HDR2
制造商型号: MMDF2P02HDR2
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 MMDF2P02HD
产品相片 8-SOIC
产品变化通告 Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)588pF @ 16V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
其它名称MMDF2P02HDR2OSTR

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