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MMBZ33VALT1 | ON Semiconductor | 瞬态电压抑制,双,共阳极,齐纳,26V,SOT-23 | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: MMBZ33VALT1G 品牌: ON Semiconductor 库存编号: 687-8234 | 搜索 |
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![]() | ON Semiconductor TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23 型号:MMBZ33VALT1 仓库库存编号:MMBZ33VALT1OSCT-ND 别名:MMBZ33VALT1OSCT | 含铅 | 搜索 |
![]() | ON Semiconductor TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23 型号:MMBZ33VALT1G 仓库库存编号:MMBZ33VALT1GOSCT-ND 别名:MMBZ33VALT1GOSCT | 无铅 | 搜索 |
![]() | Rohm Semiconductor TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR, SS 型号:MMBZ33VALT116 仓库库存编号:MMBZ33VALT116CT-ND 别名:MMBZ33VALT116CT | 无铅 | 搜索 |
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![]() | ON Semiconductor MMBZ33VALT1G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23 型号:MMBZ33VALT1G 仓库库存编号:70340298 | ![]() | 搜索 |
ESD保护 | 是 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.4mm | |
封装类型 | SOT-23 | |
尺寸 | 3.04 x 1.40 x 1.01mm | |
峰值脉冲功率耗散 | 40W | |
引脚数目 | 3 | |
方向类型 | 单向 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大反向待机电压 | 26V | |
最大反向漏电流 | 50μA | |
最大峰值脉冲电流 | 0.87A | |
最大钳位电压 | 46V | |
最小击穿电压 | 31.35V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
测试电流 | 1mA | |
配置 | 共阳极、双 | |
长度 | 3.04mm | |
高度 | 1.01mm |