MJD44E3T4G,MJD44E3T4G|ON Semiconductor代理分销-MJD44E3T4G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | MJD44E3 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 10A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 2V @ 20mA，10A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 5A，5V |
| 功率 - 最大值 | 1.75W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD44E3T4GOS MJD44E3T4GOS-ND MJD44E3T4GOSTR |
