数据列表 | MJD31,32 (C) |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
功率 - 最大值 | 1.56W |
频率 - 跃迁 | 3MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
产品目录页面 | 1562 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | MJD32CG-ND MJD32CGOS |