数据列表 | M(II,ID,DI)100-12A3 |
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标准包装 | 6 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT |
系列 | - |
IGBT 类型 | NPT |
配置 | 单一 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,75A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 135A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 5mA |
不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 5.5nF @ 25V |
功率 - 最大值 | 560W |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 无 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | Y4-M5 |
供应商器件封装 | Y4-M5 |