MCH6601-TL-E,MCH6601-TL-E|ON Semiconductor代理分销-MCH6601TLE原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | MCH6601 |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 10.4 欧姆 @ 50mA，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.43nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
