KSH112GTM_SB82051,KSH112GTM_SB82051|Fairchild Semiconductor代理分销-KSH112GTMSB82051原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | KSH112 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 功率 - 最大值 | 1.75W |
| 频率 - 跃迁 | 25MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
